【纳米】过渡金属磷化可有效增强超级电容性能

最近，华南理工大学陈少伟教授和周伟家副教授以三维Ni(OH)2纳米片为前驱体，通过简单易行的磷化反应将其转化为Ni2P纳米片阵列。磷化镍纳米片阵列作为超级电容器三维电极表现出超高的质量比电容和面积比电容性能，最高比电容可达3708 F/g（5 mV/s），远高于Ni(OH)2纳米片阵列的电容性能。以10 A/g的大电流密度，经过5000次的循环稳定性测试后，Ni2P纳米片三维电极的比电容仍然高达1437 F/g。这种赝电容性能显著提高主要归因于电极活性材料Ni2P的较高的导电性，以及具有赝电容性能P元素的引入。

此外，用这种Ni2P纳米片三维电极为正极和活性炭为负极组装成的不对称超级电容也表现出优异电容性能。更重要的是，这种金属磷化策略对提高其它过渡金属氧化物或氢氧化物的赝电容性能也被证明是简单有效的。